2 марта, 2017 
AdminGWP Exynos 9 Сeрия 8895 сoздaн нa oснoвe 10-нм FinFET тexпрoцeссa.
Кoмпaния Samsung прeдстaвилa свoй мoщный боец, процессор Exynos 9 Серия 8895, который создан на основе 10-нм процесса FinFET с транзисторной 3D-структуры, передает PhoneArena.
Известно, что технологии, используемые в процессоре южнокорейский производитель, участвует в другом топовом процессоре — Snapdragon 835 от Qualcomm, который был также разработан при участии Samsung.
Предполагается, что Exynos 9 Серия 8895 лег в основу линейку ведущих смартфонов компании — Galaxy S8, презентаций, которые, как ожидается, в апреле этого года.
Сообщается, что процессор обеспечивает передачу данных со скоростью 1 Гб/с, а отправка в сеть — скорость передачи до 150 Мб/с. Кроме того, новинка является первым, по словам производителя, получила гигабитный LTE модем с агрегацией пять спальных мест.
Процессор Exynos 9 Серия 8895 должен обеспечить производительность на 27 процентов больше по сравнению с предшественником, при этом потребляет на 40 процентов меньше энергии.
Ранее сообщалось, что в Сети были обнародованы характеристики будущего флагманского смартфона Samsung Galaxy S8.
Galaxy S8 Plus: «утекли» подробности о фаблете
Опубликовано в рубрике